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感应耦合等离子体刻蚀设备国际招标澄清或变更公告(1)

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澄清或变更简要说明：本项目招标公告中简要技术指标原内容为：“感应耦合等离子刻蚀设备（ICP刻蚀机）主要用于微电子、光电子、通讯、微机等领域的器件研发和制造中半导体薄膜的刻蚀，服务于****性能大规模光子集成芯片研究。1、反应腔：内圆柱形的反应腔由整块铝锭制成，没有焊缝、保证低的真空漏率。2、感应耦合等离子体发生器（ICP源）：ICP电源功率≥3000W。集成的自动匹配网络。现更正为：感应耦合等离子刻蚀设备（ICP刻蚀机）主要用于微电子、光电子、通讯、微机等领域的器件研发和制造中半导体薄膜的刻蚀，服务于****性能大规模光子集成芯片研究，主要由反应腔、ICP源等构成，主要技术指标如下：1、晶圆尺寸：8英寸，向下兼容；2、*SiO2、SiN刻蚀垂直度：>85°；3、刻蚀均匀性：其它内容不变！新时代XXXXX公司2024年04月19日新时代XXXXX公司受招标人委托对下列产品及服务进行国际公开竞争性招标，于2024-04-19在中国国际招标网发布变更公告。本次招标采用传统招标方式，现邀请合格投标人参加投标。1、招标条件项目概况:感应耦合等离子刻蚀设备（ICP刻蚀机）主要用于微电子、光电子、通...

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